中国制造2025-集成电路及设备

中国制造2025-集成电路及设备 
集成电路是指通过半导体工艺将大量电子元器件集成而成的具
有特定功能的电路。本路线图主要包括集成电路设计、集成电路制造、
集成电路测试封装、关键装备和材料等内容。 
1 需求 
 集成电路市场规模在2011至2015 年间约为2920 – 3280 亿
美元，复合年均增长率为 4%；2016 至 2020 年间约为 3280 – 4000
亿美元，复合年均增长率为 4%；2021 至 2030 年间约为 4000 – 5375
亿美元，复合年均增长率为 3%。 
 中国集成电路市场规模在 2011 至 2015 年间约为 840 – 1180 亿
美元，复合年均增长率为 12%；2016 至 2020 年间约为 1180 – 1734
亿美元，复合年均增长率为 8%；2021 至 2030 年间约为 1734 – 2445
亿美元，复合年均增长率为 3.5%。 
 中国集成电路市场在 2015 年将占到市场的 36%，2020 年上升
至 43.35%，而到 2030 年将占到 46%，成为zui大集成电路市场。 
 中国集成电路的本地产值在 2015 年预计达到 483 亿美元，满足国
内 41%的市场需求；2020 年预计达到 851 亿美元，满足国内 49%的市
场需求；2030 年预计达到 1837 亿美元，满足国内 75%的市场需求。
从上述数据可以看到，满足国内市场需求，提升集成电路产品自给率，
同时满足国家安全需求、占领战略性产品市场，始终是集成电路产业
发展的zui大需求和动力。 
    
2 目标 
面向国家战略和产业发展两个需求，着力发展集成电路设计业，
加速发展集成电路制造业，提升先进封装测试业发展水平，突破集成
电路关键装备和材料。 
  到 2020 年，集成电路产业与先进水平的差距逐步缩小，全
行业销售收入年均增速超过 20%，企业可持续发展能力大幅增强。移
动智能终端、网络通信、云计算、物联网、大数据等重点领域集成电
路设计技术达到水平，产业生态体系初步形成。16/14nm 制
造工艺实现规模量产，封装测试技术达到水平，关键装备和
材料进入采购体系，基本建成技术先进、安全可靠的集成电路产
业体系。 
  到 2030 年，集成电路产业链主要环节达到先进水平，一批
企业进入*梯队，实现跨越发展。 
3 发展重点 
1.集成电路设计 
（1）服务器/桌面 CPU 
 单核/双核服务器/桌面计算机 CPU、多核服务器/桌面计算机 CPU、
众核服务器/桌面计算机 CPU 
（2）嵌入式 CPU 
 低功耗高性能嵌入式 CPU、低功耗多核嵌入式 CPU、超低功耗众核
嵌入式 CPU 
（3）存储器 
    
 随机存储器（DRAM）及嵌入式随机存储器（eDRAM）、闪存存储器
（Flash）及三维闪存存储器（V-NAND Flash） 
（4）FPGA 及动态重构芯片 
 FPGA（现场可编程逻辑阵列）、动态可重构平台 
（5）集成电路设计方法学 
 SoC（系统级芯片）设计、ESL（电子系统级）设计、3D-IC 设计 

 集成电路制造 
（1）新器件 
 HK 金属栅及 SiGe/SiC 应力、FinFET（鳍式场效应晶体管）、量子
器件 
（2）光刻技术 
 两次曝光、多次曝光、EUV（极紫外光刻）、电子束曝光、193nm
光刻胶、EUV 光刻胶 
（3）材料及成套技术 
 65-32nm 光掩膜材料及成套技术、20-14nm 光掩膜材料级成套技术 

集成电路封装 
（1）倒装封装技术 
 大面积倒装芯片球阵列封装 
（2）多芯片封装 
 双芯片封装、三维系统级封装（3D SIP）、多元件集成电路（MCO） 
 

4 重大装备及关键材料 
制造装备 
    
 90-32nm 工艺设备、20-14nm 工艺设备、18 英寸工艺设备 

2.光刻机 
 90nm 光刻机、浸没式光刻机、EUV 光刻机 

3.制造材料 
 65-32nm 工艺材料、22-14nm 工艺材料、12/18 英寸硅片 

4.封装设备及材料 
 高密度封装设备及配套材料、TSV 制造部分关键设备及材料 

战略支撑和保障 
1.根据产业发展需求，逐步扩大国家集成电路产业投资基金规模
或设立二期、三期基金。 
2.加强现有政策和资源的协同，如：集成电路研发专项、国家科
技重大专项在支持共性技术研发，国家集成电路产业投资基金支持产
业化发展，这些资源要加强协同，形成合力。 
3.加强人力资源培养和引进，加强微电子学科建设支持。 
4.制定技术引进、消化、吸收政策，给予扶持。 
5.建立知识产权保护联动机制。

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